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紫外增强Si-APD光探测模块

上市日期: 2025-11-14
建议销售价: 0

紫外增强Si-APD光探测模块产品特点

l响应波长200-1100nm

l光敏面直径Max.1mm

l3dB带宽可选

l低噪声、高增益

lSM1外螺纹

lDC 12V供电

l可以定制

应用领域

l紫外激光雷达

l医学检测

 l空间光通信

产品简介

KY-APRM-XX-UV系列紫外增强APD雪崩光探测模块其采用进口高增益、紫外增强、快速响应、低暗电流的APD雪崩光电二极管,内部集成了低噪声宽带跨阻放大器、升压以及温度补偿电路,具有高增益、高灵敏度等特点。模块供电为正12V,空间入射,配有标准的SM1外螺纹,便于安装收光镜头;电信号由SMA端口输出,非常适合弱光信号的探测和短脉冲信号的测量。

性能参数

紫外增强Si APD光探测模块

参数

KY-APRM-10M-UV

KY-APRM-100M-UV

KY-APRM-400M-UV

KY-APRM-1G-UV

探测器类型

Si / APD

光输入

Free Space

波长范围

200~1100nm

响应度

峰值24A/W@600nm, 4A/W@200nm, M=50

光敏面直径

1mm

200um

带宽 (3dB)

DC-10MHz

DC-100MHz

DC-400MHz

10K~900MHz

转换增益@峰值

12.4x106 V/W

2.5x106 V/W

5x105 V/W

4.5x104 V/W

上升时间

35ns

7ns

3.5ns

0.4ns

饱和光功率

0.32uW

1.5uW

8uW

90uW

耦合方式

DC耦合

AC耦合

输出阻抗

50W

等效噪声功率NEP

0.09pw/√Hz

0.21pw/√Hz

0.15pw/√Hz

87pw/√Hz

最大输出电压

DC~3.8V@高阻

0~1Vpp@50ohm

通用参数

参数

典型值

备注

电源接口

2p插口


供电

DC 12V,<150mA

工作电压,电流

光损伤阈值

1mW

CW or 峰值功率

工作温度

-20~65°C


特性曲线

                    紫外增强Si-APD光探测模块      紫外增强Si-APD光探测模块    
                        典型光谱及频率响应(KY-APRM-100M-UV)

机械尺寸

单位:mm

紫外增强Si-APD光探测模块

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